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제품소개
반도체 Etch 공정에 필요한 고성능 CVD SiC를 소개합니다.
HOME제품소개CVD SIC

CVD SiC

SiC Ring
Re-growth / Bulk
Shower Head
Dummy Wafer

CVD SIC 특징

고순도 특성을 기반으로 오염 발생을 최소화하며, 높은 열전도로 열을 효과적으로 분산한다.
또한 낮은 열팽창 계수로 온도 변화에도 우수한 치수 안정성을 유지하고, 고경도·고강도 특성으로 뛰어난 내마모성과 내구성을 제공한다.

NO Properties Values
1 Purity 6N
2 Density (g/cm3) 3.21
3 Thermal Conductivity (W/m*K) 200~400
4 Thermal Expansion (10-6/°C) 3.25~4.5
5 Hardness (kg/mm²) >2800
6 Flexural Strength (Mpa) 500
7 Volume Resistivity (Ω·cm) 저저항<1, 중저항1~25, 고저항>500
8 Crystal Structure 3C-SiC